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今年全球半導體資本支出增長6%

2017-03-13 17:20:50

     市調機構IC Insights統計表示,今年全球半導體資本支出將比去年再增加6%,預計三星、英特爾今年資本支出全年平均增長超過兩位數,英特爾今年資本支出約為120億美元,,臺積電則減2%,使得臺積電今年資本支出約為100億美元,退居第三位。
     IC Insights統計,今年全球半導體資本支出將高達723.05億美元。韓國三星今年資本支出居冠為125億美元,年增長11%;美國英特爾約為120億美元,今年資本支出較去年大幅增長25%,位居第二。臺積電今年資本支出估約100億美元,居于第三。
     從IC Insights統計中可以看出,在前十大廠商中有兩家今年資本支出成長都在兩成以上,分別是格羅方德(GlobalFoundries)的33%與英特爾的年增25%。格羅方德去年資本支出大減62%,今年資本支出為20億美元,且預計直接挑戰7nm制程。
     目前英特爾也在沖刺7nm制程。臺積電更取得優勢地位;董事長張忠謀表示,今年全球半導體市場前景不錯,預計將較去年成長4%-5%,臺積電會優于產業成長率,預估今年臺積電營收會有5%-10%成長,臺積電的制程技術亦超越任何競爭者。
     另外,DRAM市況繼續看好,海力士、三星預估將增加資本支出16%和11%。另一家存儲器(存儲芯片)廠美光,去年資本支出成長28%;美光去年底收購華亞科后,今年資本支出則年減13%為50億美元。
     此外,晶圓代工廠中芯去年資本支出大增87%,但今年預估資本支出年減12%為23億美元。至于聯電去年資本支出估達28.42億美元新高,今年預估降3成至20億美元。

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