相關研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節(jié)省高達90%的功耗；如果采用單一晶體管MRAM取代六個晶體管SRAM，則可實現(xiàn)更高的位元密度和更小的芯片尺寸，這些功率與面積成本優(yōu)勢將使MRAM成為邊緣側設備的有力競爭者。而相較于傳統(tǒng)的NAND閃存，PCRAM或ReRAM存儲級存儲器更可提供超過10倍以上的存取速度，更適合在云端對資料進行存儲。 MRAM是一種非易失性存儲技術，從20世紀90年代開始發(fā)展。該技術具備接近靜態(tài)隨機存儲器的高速讀取寫入能力，快閃存儲器的非易失性、容量密度和與DRAM幾乎相同的使用壽命，但平均能耗卻遠低于DRAM，而且可以無限次地重復寫入。
 

MRAM技術之所以受到業(yè)界追捧，原因在于隨著業(yè)界持續(xù)向更小技術節(jié)點邁進，DRAM和NAND閃存(Flash)正面對著嚴苛的微縮挑戰(zhàn)，MRAM因此被視為有望取代這些內存芯片的獨立內存組件。考慮到MRAM具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強勁的保留能力，也被視為極具吸引力的嵌入式技術，適用于取代物聯(lián)網(IoT)設備中的嵌入式閃存和3級高速緩存SRAM。
 
它不是用來替代閃存的，而是用來處理運算過程中產生的數(shù)據(jù)。MRAM具有高速讀寫能力，同時也能永久地保存數(shù)據(jù)，所以它屬于RAM，又能兼顧非易失性。

本文關鍵詞： MRAM 

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