在整個地址空間范圍內(nèi)讀寫各種類型的數(shù)據(jù)。通常MRAM的操作和時序類似于32位微控制器的規(guī)范和時序。與DLFASH相比，當今的非易失性存儲器可以接受MRAM設備的性能和吞吐量。
 
與當今的DFLASH相比，未來的汽車動力總成控制器可能需要更快，更加強大的非易失性和保活內(nèi)存。在非易失性存儲器中使用MRAM可以顯著提高時間緊迫狀態(tài)下的寫入數(shù)據(jù)傳輸性能。MRAM設備可用的增加的內(nèi)存存儲空間還可以存儲更多診斷數(shù)據(jù)。
 
mram芯片技術(shù)在汽車市場上有許多應用。由于MRAM技術(shù)與標準CMOS技術(shù)集成在一起，便可以將其嵌入到動力總成微處理器中（當今，MRAM嵌入了某些非汽車微處理器中）。但是由于以下的一些原因，此時將MRAM集成到Powertrain硅片中的最經(jīng)濟的方法是采用芯片堆疊。

•從動力總成硅片中刪除內(nèi)存陣列可減小其管芯尺寸，從而增加每個晶片的管芯數(shù)量，同時提高管芯良率。這兩個動作均降低了動力總成芯片的成本

•芯片堆疊技術(shù)的進步已經(jīng)成熟到可接受的質(zhì)量水平。在已知好的動力總成芯片上堆疊MRAM的已知好芯片（KGD）提供了最便宜的解決方案，因為它集成了成本最低的CMOS芯片和成本最低的MRAM芯片。

在集成下一代ST-MRAM提供汽車市場所需的性價比（估計大約5年以上）之前，當今公認的可用的強大的MRAM技術(shù)似乎是集成的最佳方法。MRAM技術(shù)進入汽車應用。
 
汽車動力總成模塊使用閃存技術(shù)在斷電（保持活動內(nèi)存和非易失性內(nèi)存）期間保留重要的控制和診斷信息。 復雜的軟件必須設計為最大化這些設備的生命周期，因為它們的寫入周期數(shù)量有限。
 
MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）具有消除這種復雜性的潛力，并使KAM和NVM的管理過程中更加輕松并更加強大。 本文演示了將板載MRAM器件與下一代動力總成微處理器一起使用。創(chuàng)建了集成了最新動力總成微控制器，everspin MRAM MRA16A（2個x16位）和MR2xH50（@ SCK 40MHz）芯片的原型板。進行了一項調(diào)查，評估了在模擬按鍵關(guān)閉和按鍵事件期間用于存儲和檢索數(shù)據(jù)的MRAM功能。
 

本文關(guān)鍵詞： everspin  汽車MRAM

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