在現有的單片機MCU的設計上，由于片內RAM空間不足，想要解決這個問題要么換更大RAM的MCU，要么就外擴PSRAM。方案選擇主要有兩個問題需要考慮：1.PSRAM的數據位數；2.是否使用鎖存器。由于IO口資源有限，同時為保證片外PSRAM的速度。
 
由于單片機RAM內存比較小，限制了很多單片機MCU在智能硬件上的應用，在一般的存儲芯片中PSRAM是屬于偽靜態SRAM存儲芯片，PSRAM具有SRAM一樣的簡單明了的接口設置，也不需要像DRAM那樣需要刷新，卻具有DRAM單管的工藝結構，可以在相同單位面積的die(裸片)切割更多的存儲芯片，價格相對比SRAM要便宜，在早期的應用中，比較常見的是像智能手機，電子字典等，或者比如展訊的SC6530、銳迪科的8851、MTK的6250等都有集成Psram的嵌入。
 
外擴PSRAM一般用做內存使用，應用程序的數據就是映射到片外的。所以PSRAM的可靠性必須要保證，必須是零容忍。不然就會出現異常死機的情況。這對于產品來說是絕對不允許的。所以雖然硬件軟件已經通了，但對PSRAM的壓力測試還是很有必要的。
 
我司英尚微推出的EMI產品EMI7064LSME正是一款串行pSRAM器件，容量64Mbit，一般來說如果外擴單片機MCU的RAM資源的話，需要占用單片機的大量的管腳，而EMI7064LSME這個器件只需要單片機支持SPI接口或者Quad SPI接口就可以實現RAM資源外擴，非常適合于各類智能硬件的應用如圖像處理、數據加密、語音處理、流媒體應用、數據采集、通信數據處理等。
 
國產pSRAM偉凌創芯（EMI）64Mbit Serial SRAM，支持1.8v & 3.0V 64Mbit 的SPI/QPI SRAM設備。該RAM可配置為1位輸入和輸出獨立或4位I/O公共接口。所有必要的刷新操作都由設備本身負責。EMI代理商支持提供樣品測試及產品解決方案。
 
 
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