內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。
 
美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高性能的特點，能夠支持智能汽車和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用所需的快速響應(yīng)、實時服務(wù)、個性化和沉浸式體驗。
 
繼2021年批量出貨基于1α（1-alpha）節(jié)點的產(chǎn)品后，美光推出全球最先進的1β節(jié)點DRAM，進一步鞏固了市場領(lǐng)先地位。1β技術(shù)可將能效提高約15%，內(nèi)存密度提升35%以上1，單顆裸片容量高達16Gb。
 
1β DRAM產(chǎn)品融合了美光專有的多重曝光光刻技術(shù)、領(lǐng)先的制程技術(shù)及先進材料能力，標(biāo)志著內(nèi)存創(chuàng)新的又一次飛躍。全球領(lǐng)先的1β DRAM制程技術(shù)帶來了前所未有的內(nèi)存密度，為智能邊緣和云端應(yīng)用迎接新一代數(shù)據(jù)密集型、智能化和低功耗技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。
 
美光已在今年7月出貨全球首款232層NAND，為存儲解決方案帶來了前所未有的性能和面密度。得益于美光在尖端研發(fā)與制程技術(shù)方面的深厚根基，這兩項業(yè)界首發(fā)預(yù)示著美光將繼續(xù)在內(nèi)存和存儲創(chuàng)新領(lǐng)域領(lǐng)跑市場。


本文關(guān)鍵詞：DRAM  LPDDR5X

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