MRAM，即磁阻式隨機存取存儲器，是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的非易失性存儲技術(shù)，屬于當前新型存儲器技術(shù)之一。
 
    從特性上看，MRAM具備無限的讀寫次數(shù)、快速的寫入速度（寫入時間可低至2.3納秒）、低功耗以及高邏輯芯片整合度等特點，產(chǎn)品主要適用于對容量要求較低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域。
 
    MRAM的耗電量可降至主流存儲器（DRAM、NAND Flash）的百分之一，且寫入速度快、即使切斷電源數(shù)據(jù)也不會丟失。然而，除了制造成本較高之外，與現(xiàn)有存儲器相比，耐久性、可靠性等問題仍需進一步解決。
 
    從主流的MRAM技術(shù)來看，MRAM技術(shù)包括嵌入式磁阻RAM（MRAM）、自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）、SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性隨機存儲器）。目前MRAM主要以美國半導(dǎo)體大廠Everspin Technologies推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩轉(zhuǎn)換磁性隨機存儲器）為代表。
 
    其中，STT-MRAM利用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來讀取位單元，當該層兩側(cè)的磁性方向一致時表現(xiàn)為低電阻，當磁性方向相反時，電阻會顯著增加。與其他新興存儲技術(shù)相比，STT-MRAM的耐用性較為出色，并且存儲速度極快，被認為是最高級的緩存存儲器。
 
    STT-MRAM和SOT-MRAM這兩種存儲器有望成為高性能計算系統(tǒng)（如數(shù)據(jù)中心）分級存儲體系中的理想選擇。不過，若要將STT-MRAM或SOT-MRAM用作高密度存儲器，還需在存儲器成本和密度方面進行進一步的提升。


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