根據(jù)掉電后數(shù)據(jù)是否會丟失的標(biāo)準(zhǔn)，可以將嵌入式存儲器分為兩大類，一種是揮發(fā)性存儲器，另一種是非揮發(fā)性存儲器。揮發(fā)性存儲器是指掉電后數(shù)據(jù)會丟失，主要包括高速度、低功耗的SRAM和高密度的DRAM。而非揮發(fā)性存儲器則剛好相反，其在實際應(yīng)用中主要包含eFlash、EEPROM以及eRRAM、eMRAM、ePRAM等次世代存儲器。

揮發(fā)性存儲器和非揮發(fā)性存儲器都是存儲器，但二者仍是有不同之處。嵌入式存儲器和分立式存儲器最大的不同之處在于嵌入式存儲器往往跟應(yīng)用IC自身的工藝特性條件有很大關(guān)系，例如用90nm和用45nm工藝做出來的芯片，其內(nèi)部嵌入式存儲器大小差別也是很大的。而分立式存儲器件則主要針對存儲器器件工藝進(jìn)行優(yōu)化。

隨著信息技術(shù)的高速發(fā)展，嵌入式存儲器在SOC中的面積所占比重也在逐年增加，從圖一可以看出，從1999年平均的20%上升到2007年的60-70%乃至2014年的90%的面積。這表明嵌入式存儲器對于芯片系統(tǒng)性能的影響越來越大。

                                                   

                                                                              嵌入式存儲器在SOC中所占芯片面積的比重

本文關(guān)鍵詞：嵌入式存儲器   SRAM

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